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工信部發(fā)布新版光伏制造行業(yè)規(guī)范條件

   2018-03-02 中華石化網(wǎng)中證網(wǎng)

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核心提示:光伏單多晶制造門檻進(jìn)一步抬高。工信部3月1日發(fā)布的新版光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(下稱“規(guī)范條件”)顯示,未來

光伏單多晶制造門檻進(jìn)一步抬高。工信部3月1日發(fā)布的新版光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(下稱“規(guī)范條件”)顯示,未來將嚴(yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目,要求新建和改擴(kuò)建企業(yè)的多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模不低于3000噸/年,多晶硅電池和單晶硅電池最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于19%和21%。

工信部表示,為加強(qiáng)光伏行業(yè)管理,引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級(jí)和結(jié)構(gòu)調(diào)整,推動(dòng)我國光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展,根據(jù)國家有關(guān)法律法規(guī)及《國務(wù)院關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》(國發(fā)〔2013〕24號(hào)),按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、控制總量、鼓勵(lì)創(chuàng)新、支持應(yīng)用的原則,制定此次新版規(guī)范條件。

按照規(guī)范條件,在生產(chǎn)布局與項(xiàng)目設(shè)立方面,將嚴(yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目,引導(dǎo)光伏企業(yè)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本。新建和改擴(kuò)建多晶硅制造項(xiàng)目,最低資本金比例為30%,其他新建和改擴(kuò)建光伏制造項(xiàng)目,最低資本金比例為20%。在生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)方面,光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類型應(yīng)滿足多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模不低于3000噸/年、硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸、硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸、硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片、晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp、晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp、薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp、逆變器年產(chǎn)能不低于200MWp(微型逆變器不低于10MWp)等條件。

現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品則應(yīng)滿足一系列技術(shù)指標(biāo)要求,其中多晶硅電池和單晶硅電池的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18%和19.5%;硅基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、13%、12%、10%。

新建和改擴(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)要求則更高:多晶硅電池和單晶硅電池的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于19%和21%;硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、14%、14%、12%。

此外,規(guī)范條件要求多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率首年分別不高于2.5%和3%,后續(xù)每年不高于0.7%,25年內(nèi)不高于20%;薄膜電池組件衰減率首年不高于5%,后續(xù)每年不高于0.4%,25年內(nèi)不高于15%。

在光伏制造項(xiàng)目電耗方面,則應(yīng)滿足以下要求:現(xiàn)有多晶硅項(xiàng)目還原電耗小于60千瓦時(shí)/千克,綜合電耗小于100千瓦時(shí)/千克;新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目還原電耗小于50千瓦時(shí)/千克,綜合電耗小于80千瓦時(shí)/千克。現(xiàn)有硅錠項(xiàng)目平均綜合電耗小于8.5千瓦時(shí)/千克,新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于7千瓦時(shí)/千克;如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品,項(xiàng)目平均綜合電耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時(shí)/千克。現(xiàn)有硅棒項(xiàng)目平均綜合電耗小于45千瓦時(shí)/千克,新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于40千瓦時(shí)/千克。現(xiàn)有多晶硅片項(xiàng)目平均綜合電耗小于45萬千瓦時(shí)/百萬片,新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于40萬千瓦時(shí)/百萬片;現(xiàn)有單晶硅片項(xiàng)目平均綜合電耗小于40萬千瓦時(shí)/百萬片,新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于35萬千瓦時(shí)/百萬片。

在光伏制造項(xiàng)目生產(chǎn)水耗方面則應(yīng)滿足:多晶硅項(xiàng)目水循環(huán)利用率不低于95%;硅片項(xiàng)目水耗低于1400噸/百萬片;電池項(xiàng)目水耗低于1500噸/MWp。

規(guī)范條件還在環(huán)境保護(hù)、質(zhì)量管理、安全、衛(wèi)生、監(jiān)督與管理等方面提出一系列要求。

規(guī)范條件自2018年3月1日起實(shí)施。2015年3月25日公布的《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2015年本)》(工業(yè)和信息化部公告2015年第23號(hào))同時(shí)廢止。

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